收藏本站
ZXM62P02E6
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
+25°C
100
+150°C
10
5V
4.5V
-VGS
4V
3.5V
3V
10
5V
4.5V
-VGS
4V
3.5V
3V
2.5V
2.5V
1
2V
1
2V
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
100
-V DS - Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
VDS=-10V
1.6
-V DS - Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
10
1.4
1.2
1.0
RDS(on)
VGS=-4.5V
ID=-1.6A
T=150°C
VGS=VDS
1
T=25°C
0.8
VGS(th)
ID=-250μA
0.6
0.1
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.4
-100
-50
0
50
100
150
200
10
-V GS - Gate-Source Voltage (V)
Typical Transfer Characteristics
100
T j - Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th)
v Temperature
10
1
1
VGS=-3V
VGS=-5V
T=150°C
T=25°C
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-I D - Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
-V SD - Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
ISSUE 1 - JU NE 2004
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ZXM62P03E6TA MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
ZXM64N02XTC MOSFET N-CHAN 20V MSOP8
ZXM64N035L3 MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3
ZXM64P02XTC MOSFET P-CHAN 20V MSOP8
ZXM64P035L3 MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3
ZXM64P03XTC MOSFET P-CHAN 30V MSOP8
ZXM66P02N8TC MOSFET P-CHAN 20V 8SOIC
ZXM66P03N8TA MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
相关代理商/技术参数
ZXM62P02E6TA-CUT TAPE 制造商:DIODES 功能描述:ZXM62P02E6 20 V 0.2 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23-6
ZXM62P02E6TC 功能描述:MOSFET 20V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXM62P03E6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P, SOT-23-6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, P CH, 30V, -1.5A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V ;RoHS Compliant: Yes
ZXM62P03E6 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23-6
ZXM62P03E6_05 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXM62P03E6TA 功能描述:MOSFET 30V P-Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXM62P03E6TC 功能描述:MOSFET 30V P Chnl HDMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXM62P03G 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET